深圳争妍微电子申请一种反激式功率集成二极管及其制备方法专利使高压慢恢复二极管的有源区的反向恢复时间增加

　　金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种反激式功率集成二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120500060A，申请日期为2025年05月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种反激式功率集成二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，包括如下步骤：淀积硬掩膜：在衬底上淀积硬掩膜；Trench光刻与沟槽刻蚀：利用光刻技术将设计好的沟槽图案转移到硬掩膜上；沟槽氧化：对刻蚀好的沟槽进行氧化处理；化学机械抛光：采用化学机械抛光工艺将沟槽内部的氧化层抛光；场氧化：对沟槽外部进行场氧化，生长场氧化层。

　　天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

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